会议论文《GaAs PHEMT器件栅金属下沉效应及其对性能的影响》探讨了GaAs PHEMT器件中栅金属下沉现象的机理及其对器件性能的影响。研究通过实验与模拟分析，揭示了金属下沉导致的电学特性变化，如阈值电压漂移和跨导下降等问题。该成果为优化器件结构设计和提高可靠性提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.55MB，总共5页。
举报
