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会议论文《Calculation of phase diagrams of epitaxial in AlxIn1-xAs_InP_AsxSb1-xAl_InP and AlxIn1-xSb_Insb films》探讨了外延薄膜的相图计算，涉及AlxIn1-xAs/InP、AsxSb1-x/Al_InP及AlxIn1-xSb/InSb体系。该研究通过热力学模型分析了材料在不同成分和温度下的相平衡行为，为半导体异质结的生长与性能优化提供了理论依据，对新型电子器件设计具有重要意义。
文档为pdf格式，0.13MB，总共4页。
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