4H-SiC功率MESFET台面光刻技术研究 - 全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议.pdf

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2026-1-12 07:09 | 查看全部 阅读模式

会议论文《4H-SiC功率MESFET台面光刻技术研究》探讨了在4H-SiC材料上实现高精度台面结构的光刻工艺。该研究针对功率MESFET器件的制造需求,优化了光刻参数与工艺流程,提高了器件性能与可靠性。论文为高性能功率半导体器件的开发提供了关键技术支撑,具有重要的工程应用价值。

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4H-SiC功率MESFET台面光刻技术研究 - 全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议
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