会议论文《软击穿后的MOS器件的微分电导谱及其应用》探讨了MOS器件在软击穿状态下的微分电导特性，分析其在故障诊断和可靠性评估中的应用价值。该研究通过实验获取电导谱数据，揭示了器件性能退化与电学参数变化之间的关系，为半导体器件的失效分析提供了理论依据和技术支持。
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