反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 14:11 | 查看全部 阅读模式

会议论文《反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨》针对反熔丝技术在FPGA中的应用,分析了不同γ射线剂量率对器件性能的影响。研究通过实验测试,揭示了辐射环境下器件的失效机制和阈值特性,为提升FPGA抗辐射能力提供了理论依据和技术支持。

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反熔丝FPGA器件γ剂量率辐射效应规律探讨 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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