会议论文《半导体器件γ瞬时辐射的脉冲宽度效应研究》探讨了γ射线辐射下半导体器件的瞬时响应特性，重点分析了脉冲宽度对器件性能的影响。研究通过实验与理论分析相结合，揭示了不同脉冲宽度下器件的失效机制和抗辐射能力变化规律，为提高电子设备在高辐射环境下的可靠性提供了理论依据和技术支持。
文档为pdf格式，0.15MB，总共7页。
举报
