会议论文《典型半导体器件γ剂量率辐射效应数值模拟》发表于中国核学会2009年学术年会，主要研究了γ射线辐射对半导体器件的影响。文章通过数值模拟方法，分析了不同剂量率下半导体器件的辐射效应，为提高器件抗辐射能力提供了理论依据和技术支持。
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