典型电子系统中子辐射性能的指数裕度法评估 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 13:28 | 查看全部 阅读模式

会议论文《典型电子系统中子辐射性能的指数裕度法评估》针对电子系统在中子辐射环境下的性能进行了深入研究。该文提出一种基于指数裕度法的评估方法,用于量化系统对中子辐射的抗性。通过实验与仿真结合的方式,验证了该方法的有效性,为提高电子设备在辐射环境中的可靠性提供了理论支持和实践指导。

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典型电子系统中子辐射性能的指数裕度法评估 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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