会议论文《注硅工艺对埋氧层中陷阱电荷的影响》探讨了注硅工艺在半导体器件制造中对埋氧层中陷阱电荷特性的影响。该研究通过实验分析，揭示了注硅参数变化对陷阱电荷密度和分布的调控机制，为优化器件性能提供了理论依据和技术支持。本文在第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会上发表，具有重要的学术价值和应用前景。
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