VDMOS器件单粒子加固技术研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会.pdf

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2026-1-11 11:39 | 查看全部 阅读模式

会议论文《VDMOS器件单粒子加固技术研究》探讨了针对VDMOS器件的单粒子效应加固方法。文章分析了单粒子引起的潜在故障机制,并提出有效的加固设计策略,以提高器件在高能粒子环境下的可靠性。该研究对航天、核能等领域的电子系统抗辐射设计具有重要意义。

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VDMOS器件单粒子加固技术研究 - 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
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