退火对Mg掺杂AlGaN的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 06:47 | 查看全部 阅读模式

会议论文《退火对Mg掺杂AlGaN的影响》探讨了退火工艺对Mg掺杂AlGaN材料性能的影响。研究通过实验分析了不同退火条件下的晶体质量和电学特性,发现适当的退火能有效改善材料的结晶质量,提高载流子迁移率。该成果对优化AlGaN基器件的性能具有重要意义。

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退火对Mg掺杂AlGaN的影响 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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