本文介绍了不同槽栅深度Al2O3 MOS-HEMTs器件的特性研究。通过改变槽栅深度，分析了器件的电学性能，包括阈值电压、跨导和漏电流等参数。研究结果表明，槽栅深度对器件的性能有显著影响，优化槽栅结构可有效提升器件的稳定性和可靠性，为高性能Al2O3 MOS-HEMTs的设计提供了理论依据。
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