源漏电极与沟道接触对ZnO薄膜晶体管的影响 - 第十二届全国固体薄膜会议.pdf

1 0
2026-1-11 05:14 | 查看全部 阅读模式

会议论文《源漏电极与沟道接触对ZnO薄膜晶体管的影响》探讨了源漏电极材料及与沟道接触特性对ZnO薄膜晶体管性能的影响。研究通过实验分析了不同电极材料对器件电学性能的影响,提出了优化接触界面的策略,为提高ZnO TFT的稳定性和性能提供了理论依据和技术支持。

文档为pdf格式,0.27MB,总共4页。

源漏电极与沟道接触对ZnO薄膜晶体管的影响 - 第十二届全国固体薄膜会议
文件大小:
276.48 KB
高速下载
2026 资料下载 联系邮件:1991591830#qq.com 浙ICP备2024084428号-1