会议论文《温度对MBE法制备InN外延薄膜的影响》探讨了在分子束外延（MBE）过程中，不同生长温度对InN外延薄膜质量的影响。研究通过分析晶体结构、表面形貌及光电特性，揭示了温度对薄膜结晶度和缺陷密度的关键作用。结果表明，适当控制生长温度可显著提升InN薄膜的性能，为高性能光电器件的制备提供了理论依据。
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