会议论文《晶格匹配AlInN_AlN_GaN_AlN_GaN双沟道异质结材料研究》探讨了基于MOCVD技术制备的双沟道异质结材料的特性与应用。该研究通过优化材料结构,实现了晶格匹配,提升了器件性能。论文在第十一届全国MOCVD学术会议上发表,为宽禁带半导体器件的发展提供了重要参考。
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