会议论文《新型无应变InAlN_GaN外延生长及器件制备》介绍了在GaN基底上采用无应变InAlN层进行外延生长的新方法，有效解决了传统外延过程中因晶格失配导致的缺陷问题。该研究通过优化生长参数，实现了高质量InAlN/GaN异质结构的制备，并成功应用于高性能半导体器件中，为未来高频、高功率电子器件的发展提供了新思路。
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