会议论文《基于In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料的薄膜晶体管》发表于2010年中国平板显示学术会议。该研究探讨了新型In-Zn-Ti-O氧化物半导体材料在薄膜晶体管（TFT）中的应用，分析了其结构特性与电学性能。论文指出，该材料具有优异的迁移率和稳定性，适用于高性能显示器件。研究为柔性电子和透明电子领域提供了新的材料选择，对推动平板显示技术发展具有重要意义。
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