SiC纳米线的纯化及场发射性能研究 - 第七届中国功能材料及其应用学术会议.pdf

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2026-1-11 00:42 | 查看全部 阅读模式

会议论文《SiC纳米线的纯化及场发射性能研究》发表于第七届中国功能材料及其应用学术会议,主要探讨了SiC纳米线的纯化方法及其场发射性能。研究通过化学处理和热处理等手段提高了SiC纳米线的纯度,并对其电学性能进行了系统测试。结果表明,纯化后的SiC纳米线展现出优良的场发射特性,具有潜在的应用价值。

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SiC纳米线的纯化及场发射性能研究 - 第七届中国功能材料及其应用学术会议
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