MeV能量的重离子辐照GaN的高分辨XRD研究 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

会议论文《MeV能量的重离子辐照GaN的高分辨XRD研究》探讨了MeV级重离子对GaN材料结构的影响。通过高分辨X射线衍射技术，分析了辐照后GaN的晶体质量变化，为深入理解重离子辐照对半导体材料的损伤机制提供了实验依据。

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