会议论文《MgZnO_GaN异质结特性及结构研究》探讨了MgZnO与GaN异质结的物理特性及结构性能。研究通过实验分析了其能带结构、界面特性及电学性能，为宽禁带半导体器件的应用提供了理论依据和技术支持。该成果对提升功率电子器件性能具有重要意义。
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