会议论文《MOCVD生长GaN薄膜的仿真》探讨了通过计算机模拟方法研究氮化镓（GaN）薄膜在MOCVD（金属有机化学气相沉积）过程中的生长机制。该研究为优化生长参数、提高薄膜质量提供了理论依据，对宽禁带半导体器件的开发具有重要意义。
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