MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究 - 第十一届全国MOCVD学术会议.pdf

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2026-1-11 00:33 | 查看全部 阅读模式

会议论文《MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究》探讨了通过MOCVD技术制备ZnO基p-n结的电致发光特性。研究分析了不同结构参数对发光效率的影响,为实现高效紫外发光器件提供了理论依据和技术支持。该成果在光电子器件领域具有重要应用价值。

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MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究 - 第十一届全国MOCVD学术会议
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