会议论文《LEC法生长大尺寸InP单晶 - 2010年全国半导体器件技术研讨会》介绍了采用液封直拉法（LEC）生长大尺寸磷化铟（InP）单晶的技术进展。文章详细阐述了生长工艺参数对晶体质量的影响，探讨了提高晶体尺寸和均匀性的方法，为高性能半导体器件的制备提供了重要参考。
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