会议论文《ICP刻蚀对GaN LED性能损伤的研究》探讨了等离子体刻蚀工艺对GaN基LED器件性能的影响。研究通过实验分析了刻蚀参数对LED发光效率、电流特性及可靠性的影响，指出过度刻蚀会导致材料损伤，降低器件性能。该研究为优化GaN LED制造工艺提供了理论依据和技术参考。
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