MBE生长太阳电池用立方相n—CdSe薄膜及其性能分析 - 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议.pdf

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2026-1-11 00:32 | 查看全部阅读模式

会议论文《MBE生长太阳电池用立方相n—CdSe薄膜及其性能分析》介绍了通过分子束外延（MBE）技术制备的立方相n-CdSe薄膜的生长过程与性能研究。文章分析了薄膜的晶体结构、电学特性及光学性能，探讨其在太阳能电池中的应用潜力，为高性能光电器件的开发提供了理论依据和技术支持。

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