InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度的变化关系 - 第十二届全国固体薄膜会议.pdf

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2026-1-11 00:27 | 查看全部 阅读模式

会议论文《InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度的变化关系》在第十二届全国固体薄膜会议上发表,探讨了InGaN材料中缺陷密度与薄膜厚度之间的关系。研究通过实验分析表明,随着材料厚度增加,缺陷密度呈现先降低后升高的趋势,这对优化InGaN光伏器件性能具有重要意义。

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InGaN光伏材料生长过程中缺陷随厚度的变化关系 - 第十二届全国固体薄膜会议
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