会议论文《InXGal-xN_GaN多量子阱结构中的相分凝现象研究》探讨了InGaN多量子阱中由于成分波动引起的相分凝现象。该研究通过实验分析，揭示了在生长过程中不同组分的分布不均对材料性能的影响，为优化氮化物半导体器件的性能提供了理论依据和技术支持。
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