会议论文《InGaN薄膜的应变弛豫及其对薄膜结构性质的影响》探讨了InGaN薄膜在生长过程中因晶格失配产生的应变弛豫现象。研究通过实验分析了应变弛豫对薄膜结构质量、缺陷密度及光学性能的影响，为优化InGaN薄膜的制备工艺提供了理论依据。该文在第十二届全国固体薄膜会议上发表，对氮化物半导体材料的研究具有重要意义。
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