会议论文《Ge衬底上GalnP薄膜性质研究》发表于第十二届全国固体薄膜会议，主要探讨了在Ge衬底上生长的GaInP薄膜的物理特性。研究通过多种分析手段，如X射线衍射和光致发光谱，评估了薄膜的晶体质量与光学性能。该工作对GaInP基半导体器件在光电子领域的应用具有重要意义。
文档为pdf格式，0.48MB，总共4页。
举报
