毫米波InAlN_GaN HEMT电学特性退化机制分析 - 2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

5 0

2026-1-10 14:03 | 查看全部阅读模式

该会议论文研究了毫米波InAlN/GaN HEMT器件的电学特性退化机制，分析了其在高功率和高频工作条件下的性能变化。通过实验测试与理论分析，探讨了界面缺陷、载流子迁移率下降及热效应等因素对器件可靠性的影响，为提升器件稳定性和寿命提供了重要依据。

文档为pdf格式，0.8MB，总共5页。