基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究 - 第13届中国光伏大会.pdf

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2026-1-10 12:27 | 查看全部 阅读模式

会议论文《基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究》探讨了通过优化ZnO材料结构提升微晶硅太阳电池性能的方法。研究采用MOCVD与溅射后腐蚀技术制备ZnO衬底,有效增强光捕获能力,提高电池效率。该成果为高效太阳能电池设计提供了新思路。

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基于MOCVD ZnO和溅射后腐蚀ZnO衬的高速率单结微晶硅太阳电池的陷光研究 - 第13届中国光伏大会
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