本文研究了倾斜离子注入对FinFET器件亚阈值特性的影响。通过实验与模拟分析，探讨了不同注入角度对阈值电压、亚阈值斜率等参数的影响。结果表明，倾斜注入可有效调节器件性能，优化亚阈值区工作特性，为FinFET器件的工艺设计提供理论依据。
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