高耐压pnp超结缓冲层垂直结构AlGaN_GaN HFET优化设计 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 09:40 | 查看全部阅读模式

本文针对高耐压pnp超结缓冲层垂直结构AlGaN/GaN HFET进行了优化设计。通过引入pnp超结结构，有效提升了器件的击穿电压和电流密度。研究分析了缓冲层材料和结构参数对器件性能的影响，提出了改进方案以提高器件的稳定性和可靠性。该工作为高性能功率电子器件的发展提供了理论支持和技术参考。

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