SOI LDMOS开态表面势场分布解析模型 - 中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会.pdf

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2026-1-10 01:43 | 查看全部 阅读模式

会议论文《SOI LDMOS开态表面势场分布解析模型》由中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会发表。该文提出一种针对SOI LDMOS器件在开态下表面势场分布的解析模型,有助于深入理解器件工作机理,优化设计参数,提升性能和可靠性。

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SOI LDMOS开态表面势场分布解析模型 - 中国电子学会电路与系统学会第二十五届年会
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