会议论文《Ni2+掺杂ZnO薄膜的阻变特性研究》探讨了Ni2+掺杂对ZnO薄膜电阻切换行为的影响。通过实验分析,研究发现Ni2+的引入能够显著改善ZnO薄膜的阻变性能,为新型非易失性存储器件提供了理论依据和实验支持。该成果对于发展高性能陶瓷电子材料具有重要意义。
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