会议论文《ICPCVD法低温制备SiO2薄膜技术研究》探讨了采用等离子体增强化学气相沉积（ICPCVD）方法在较低温度下制备高质量SiO2薄膜的技术。该研究对工艺参数进行了优化，提高了薄膜的均匀性和致密性，为光子器件和微电子领域的应用提供了新思路。
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