会议论文《Role of V-defect in InGaN-based light-emitting diodes》探讨了V型缺陷在氮化铟镓基发光二极管中的作用。该研究通过实验分析，揭示了V缺陷对器件性能的影响机制，为提高LED效率和稳定性提供了理论依据。论文在第十四届全国固体薄膜学术会议上发表，受到广泛关注。
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