AlGaN_GaN HEMT有源区隔离泄漏电流研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2026-1-10 01:08 | 查看全部 阅读模式

会议论文《AlGaN/GaN HEMT有源区隔离泄漏电流研究》探讨了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中由于有源区隔离不彻底导致的泄漏电流问题。文章分析了泄漏电流的产生机制,并提出了优化结构设计以降低漏电的方案,对提升器件性能和可靠性具有重要意义。

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AlGaN_GaN HEMT有源区隔离泄漏电流研究 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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