4H-SiC PiN二极管热阻和热退化现象的仿真分析 - 第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

会议论文《4H-SiC PiN二极管热阻和热退化现象的仿真分析》针对4H-SiC材料在高功率应用中的热性能进行了深入研究。通过仿真方法分析了器件的热阻特性及温度升高导致的热退化现象，为优化器件设计和提高可靠性提供了理论依据。该研究对推动宽禁带半导体器件的发展具有重要意义。

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