1200V IGBT芯片阻断特性不稳定分析 - 2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会.pdf

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2026-1-10 00:51 | 查看全部阅读模式

会议论文《1200V IGBT芯片阻断特性不稳定分析》探讨了1200V IGBT在运行过程中出现的阻断电压不稳定问题。文章分析了影响阻断特性的关键因素，如材料缺陷、工艺参数及温度变化等，并提出了改进方案。该研究对提升IGBT性能和可靠性具有重要意义，为半导体器件的发展提供了理论支持。

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