本文介绍了基于WOx阻变材料的RRAM电路设计，探讨了其在新型存储器中的应用。通过分析WOx材料的电阻变化特性，提出了优化的电路结构，提高了存储性能和稳定性。论文参加了第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议，展示了该技术在高速、低功耗存储领域的潜力。
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