本文介绍了AlGaN/GaN/AlGaN双异质结材料的生长与特性研究，重点探讨了其在微波器件和光电器件中的应用潜力。通过优化生长工艺，提高了材料的晶体质量和界面特性。研究结果表明，该结构具有优异的电子迁移率和热稳定性，为高性能半导体器件的发展提供了新的方向。
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