论文《C_Si共掺杂AlN的电子结构分析》探讨了碳和硅共同掺杂对氮化铝电子结构的影响。通过理论计算，研究分析了掺杂后材料的能带结构、态密度及电荷分布变化。结果表明，C_Si共掺杂可有效调控AlN的电子特性，为优化半导体器件性能提供了理论依据。
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