Growth of 3C-SiC Films in a Novel Warm-wall Multi-wafer LPCVD Reactor - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

本文介绍了在新型温壁多片式LPCVD反应器中3C-SiC薄膜的生长研究。通过优化反应条件，实现了高质量3C-SiC薄膜的均匀生长。该研究为大尺寸半导体器件的制备提供了新思路，具有重要的应用价值。

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