3000V 4H-SiC基结势垒肖特基二极管的研制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

论文《3000V 4H-SiC基结势垒肖特基二极管的研制》介绍了基于4H-SiC材料的高电压肖特基二极管的研究成果。通过优化结构设计和工艺流程，实现了器件在3000V电压下的稳定工作。该研究为高压功率电子器件提供了新的解决方案，具有重要的应用价值。

文档为pdf格式，1.06MB，总共4页。

3000V 4H-SiC基结势垒肖特基二极管的研制 - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf

文件大小:

1.06 MB

高速下载