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论文《WN肖特基势垒高功率高效率GaN HEMT》介绍了基于氮化镓（GaN）的高电子迁移率晶体管（HEMT）在高功率和高效率应用中的研究进展。通过采用WN（氮化钨）作为肖特基势垒材料，该器件在性能上表现出更高的功率密度和更低的导通损耗。文章详细分析了器件结构、工艺优化及电学特性，为高性能射频和功率电子器件提供了新的解决方案。 文档为pdf格式，0.04MB，总共1页。
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- WN肖特基势垒高功率高效率GaN HEMT - 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议.pdf ...
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