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背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf

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2025-12-14 09:03 | 查看全部阅读模式

论文《背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响》探讨了背栅偏置对部分耗尽SOI器件中记忆效应的影响。通过实验分析，研究发现背栅电压可以有效调控器件的阈值电压和电荷存储特性，从而影响记忆效应的强度与稳定性。该研究为优化SOI器件性能提供了理论依据和技术支持。

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背栅偏置对部分耗尽SOI器件记忆效应的影响 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

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学术会议, 集成电路, 半导体, 器件, 效应

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