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本文针对基于SOI工艺的低压MOSFET器件的静电放电（ESD）特性进行了深入研究。通过实验与仿真分析，探讨了器件结构对ESD性能的影响，提出了优化设计方法。研究结果为提高SOI器件的可靠性提供了理论依据和技术支持，对集成电路设计具有重要意义。 ","role":"assistant文档为pdf格式，0.34MB，总共4页。
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- 基于SOI工艺的低压MOSFET器件ESD特性研究 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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