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论文《利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜》介绍了通过反应等离子体化学气相沉积（RPCVD）技术制备高质量应变SiGe薄膜的方法。该研究针对半导体器件中对材料性能的高要求，探索了工艺参数对薄膜质量的影响，实现了具有良好结晶质量和应变特性的SiGe薄膜制备。研究成果为高性能电子器件的开发提供了重要支持。 文档为pdf格式，0.6MB，总共3页。
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- 利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜 - 第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议.pdf ...
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