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利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会.pdf

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该论文介绍了通过低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量锗材料的方法。研究旨在解决锗在硅基上生长时的晶格失配问题，提高材料质量。通过优化工艺参数，实现了高质量锗层的外延生长，为硅基光电子器件的发展提供了重要基础。

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利用低温缓冲层和应变超晶格技术制备高质量的锗材料 - 2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会

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晶格, 材料, 光电子, 应变, 低温

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